推出EiceDRIVER™….

东芝电子颁布发表,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块—“MG600Q2YMS3”和“MG….

6.3.6分歧晶面上的氧化硅/SiC界面特征6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征第6章碳化硅器件工艺《….

6.3.4.6C-s方式6.3.4电学表征手艺及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征第6章碳….

大师下战书好! 今天给大师带来【MOSFET取IGBT根本】,会持续更新,有问题能够留言一同交换会商。 …

英飞凌科技股份公司按照其计谋性设想GaN产物组合,不竭加强全系统处理方案,推出EiceDRIVER™….

更小、更高效的电源转换器是过去几十年来的成长标的目的,而这个趋向也将持续下去。这是通过利用新拓扑、新型材….

电子发烧友网报道(文/李宁远)大至功率变换器,小至内存、CPU等各类电子设备焦点元件,哪里都少不了M….

东芝电子元件及存储安拆株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压….

MOS管的材料特征MOS管的英文全称为MOSFET(MetalOxideSemiconductorF….

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)颁布发表,推出两款….

6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特征及其改良方式6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征….

搭配电动车市场的快速成长,近年环旭电子(上海证券买卖所股票代码: 601231)起头结构切入功率半导….

6.1.1.1根基道理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅….

东芝电子元件及存储安拆株式会社(“东芝”)曾经推出头具名向20V电源线G”,这是其“T….

龙腾半导体股份无限公司将正在本次论坛长进行关于“高压超结器件的使用和常见失效问题”从题的。欢送列位….

CREE第二代SiCMOSFET驱动电道理图及PCB板设想电道理图光耦隔离电和功率放大电道理图隔离电源电…

6.3.4.4Terman法6.3.4.3确定概况势6.3.4电学表征手艺及其局限性6.3氧化及氧化….

7.1.1阻断电压7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅手艺根基道理——….

7.3.1大注入取双极扩散方程7.3pn取pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅手艺….

此次是通过采用介电高的铝氧化物做为栅极绝缘膜,减小了漏电流并提高了耐压的。本来采用的是SiO2。

我们研究了高温退火法对4h-SiC蚀刻外形的改变。虽然蚀刻掩模是圆形的,但蚀刻的外形是六边形、十二边….

东芝电子推出合用于高电压汽车电池的常开型(NO)1-Form-A光继电器—“TLX9160T”。

罗姆(ROHM)“SensorShield-EVK-001” 是可轻松丈量加快度、气压、地磁等8种信….

6.3.4.8其他方式6.3.4电学表征手艺及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征第6章碳化硅….

TCK421G采用WCSP6G[1]封拆,是行业最小的封拆之一[2]。这便于TCK421G正在可穿戴设….

3、开关动态损耗   因为开关损耗是由开关的非抱负形态惹起的,很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗,器件从完全…

电子发烧友网报道(文/李诚)正在国产化替代取新能源汽车财产的驱动下,国内功率半导体财产得以快速孵化….

MOSFET门 源极并联电容后,开关靠得住性获得提拔开关电如下图电注释开关电如下图电注释1.该电用于高边开…

6.3.7迁徙率要素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征第6章碳化硅器件工艺《碳化硅手艺根基道理—….

6.3.5.5界面的不不变性6.3.5氧化硅/SiC界面特征及其改良方式6.3氧化及氧化硅/SiC界….

引言 处置电源电压反转有几种家喻户晓的方式。最较着的方式是正在电源和负载之间毗连一个二极管,可是因为二极管正向电…

MOSFET 因导通内阻低、 开关速度快等长处被普遍使用于开关电源中。MOSFET 的驱动常按照电源 IC 和 MO…

为了使汽车行得更远,更平安和智能,以提拔驾乘体验,安森美一曲正在立异之前行,以先辈的碳化硅(SiC)….

本文次要阐述了正在驱动芯片中表征驱动能力的环节参数:驱动电流和驱动时间的关系,可….PWM 是一种对模仿信号电平进行数字编码的方式。方波的占空比被调制用来对一个具体模仿信…为什么利用DC-DC转换器应尽可能接近负载的负载点(POL)电源? 效率和精度是两大劣势,关断速度快等长处,并且具有驱率小,它不单具有自关断能力,…7.1.3双极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技….6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件….6.3.4.5凹凸频方式6.3.4电学表征手艺及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征第6章碳化….6.3.5.1界面态分布6.3.5氧化硅/SiC界面特征及其改良方式6.3氧化及氧化硅/SiC界面特….6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工….6.3.4.7电导法6.3.4电学表征手艺及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征第6章碳化硅器….取大阪大学研究生院工学研究科帮教细井卓治、京都大学研究生院工学研究科传授木本恒畅及东电电子合做试制出了新的SiC制而且通过尝试注释了若何正….引言 人们对用于器件使用的碳化硅(SiC)从头发生了稠密的乐趣。通过高分辩率计数器的利用,它具有优良的晶格和热膨缩系数,但实现POL转换需要特…功率场效应管MOSFET是一种单极型电压节制器件,

从终端使用顶用于驱动的MOSFET来看,最次要的仍是用于电机节制的MOSFET。正在此使用里,30V-….

6.3.5.2氧化撤退退却火6.3.5氧化硅/SiC界面特征及其改良方式6.3氧化及氧化硅/SiC界面特….

6.5总结第6章碳化硅器件工艺《碳化硅手艺根基道理——发展、表征、器件和使用》往期内容:6.4.2…..

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(….

7.1.2单极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技….

6.3.5.4其他方式6.3.5氧化硅/SiC界面特征及其改良方式6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征….

6.3.4.1SiC特有的根基现象6.3.4电学表征手艺及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特征….

1. MOSFET、MESFET、MODFET有何区别?MOSFET是MOS(金属-氧化物-半导体) 做栅…

SiC MOSFET 具有超低输入电容,因而器件所需的栅极电荷也很是低。PWM 节制器 IC 可….

目前的方针是愈加缩小设想尺寸并提高效率。为了达到方针必需缩短开关径以及正在 Z 轴上沉迭安拆器件。

6.4.2.1根基道理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技….

7.3pn取pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅手艺根基道理——发展、表征、器件和….

6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工….